温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN3011LFVWQ-13-HXY
DMN3011LFVWQ-13-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。器件在高电流负载下仍能保持较低的导通损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源管理、电机驱动及开关电路等场景。其低阻抗特性有助于减少功率损耗，提升系统整体能效，同时N沟道结构便于实现高效的高侧或低侧开关配置。
- 商品型号
- DMN3011LFVWQ-13-HXY
- 商品编号
- C53263184
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- NTMFS4C028NT3G-HXY
- DMN3011LFVWQ-7-HXY
- DMT34M5LFVW-13-HXY
- DMN3010LFG-13-HXY
- DMT3009LFVW-13-HXY
- AO4708
- DMN39M1LFVW-13-HXY
- DMT35M4LPSW-13-HXY
- AON7502
- DMN39M1LFVWQ-13-HXY
- AON7788
- DMN39M1LFVWQ-7-HXY
- DMN3009LFVQ-13-HXY
- DMT3006LFV-7-HXY
- DMT3006LFVQ-13-HXY
- SISA84DN-T1-GE3-HXY
- DMT3009LFVWQ-13-HXY
- DMN3009LFVQ-7-HXY
- DMN3009SFG-13-HXY
- DMT3006LFG-13-HXY
- DMT3003LFG-13-HXY