SIRA18DP-T1-RE3-HXY

SIRA18DP-T1-RE3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。低导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体效率，同时支持高电流通过能力。器件适用于对功率处理能力和开关性能要求较高的电源转换、电池管理系统及各类高效电子设备中的功率控制环节，在高频开关操作中仍能维持良好的热稳定性和电气特性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIRA18DP-T1-RE3-HXY

商品编号

C53263178

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.138克(g)