温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SISA16DN-T1-GE3-HXY
SISA16DN-T1-GE3-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其较低的导通电阻有助于减小导通损耗，提升系统能效，同时支持中高电流应用场景。该器件适用于对功率密度和热管理有一定要求的电源转换、电机驱动及各类高效电子设备中的开关与控制功能，在高频操作条件下仍可保持稳定的电气性能。
- 商品型号
- SISA16DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263179
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- DMT35M1LFVW-13-HXY
- AON7568
- AOD32326-HXY
- DMT35M1LFVW-7-HXY
- DMN3011LFVWQ-13-HXY
- NTMFS4C028NT3G-HXY
- DMN3011LFVWQ-7-HXY
- DMT34M5LFVW-13-HXY
- DMN3010LFG-13-HXY
- DMT3009LFVW-13-HXY
- AO4708
- DMN39M1LFVW-13-HXY
- DMT35M4LPSW-13-HXY
- AON7502
- DMN39M1LFVWQ-13-HXY
- AON7788
- DMN39M1LFVWQ-7-HXY
- DMN3009LFVQ-13-HXY
- DMT3006LFV-7-HXY
- DMT3006LFVQ-13-HXY
- SISA84DN-T1-GE3-HXY