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SISA16DN-T1-GE3-HXY
SISA16DN-T1-GE3-HXY
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其较低的导通电阻有助于减小导通损耗，提升系统能效，同时支持中高电流应用场景。该器件适用于对功率密度和热管理有一定要求的电源转换、电机驱动及各类高效电子设备中的开关与控制功能，在高频操作条件下仍可保持稳定的电气性能。
- 商品型号
- SISA16DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263179
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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