温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMT35M4LFVW-13-HXY
DMT35M4LFVW-13-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道MOSFET具有55A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其极低的导通电阻有效降低了导通损耗，适用于对效率和热性能要求较高的中低电压开关电路。典型应用包括高效电源转换、负载开关、电池管理系统及各类需要大电流处理能力的电子设备中的功率控制环节。
- 商品型号
- DMT35M4LFVW-13-HXY
- 商品编号
- C53263176
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- DI045N03PT-HXY
- SIRA18DP-T1-RE3-HXY
- SISA16DN-T1-GE3-HXY
- DMT35M1LFVW-13-HXY
- AON7568
- AOD32326-HXY
- DMT35M1LFVW-7-HXY
- DMN3011LFVWQ-13-HXY
- NTMFS4C028NT3G-HXY
- DMN3011LFVWQ-7-HXY
- DMT34M5LFVW-13-HXY
- DMN3010LFG-13-HXY
- DMT3009LFVW-13-HXY
- AO4708
- DMN39M1LFVW-13-HXY
- DMT35M4LPSW-13-HXY
- AON7502
- DMN39M1LFVWQ-13-HXY
- AON7788
- DMN39M1LFVWQ-7-HXY
- DMN3009LFVQ-13-HXY