DMN3023L-13-HXY

DMN3023L-13-HXY

描述

该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和5.8A的连续漏极电流（ID），在导通状态下呈现低至22毫欧的导通电阻（RDS(on)）。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升整体能效。器件适用于对效率和热性能有较高要求的电源管理、负载开关及同步整流等电路拓扑中，能够在紧凑空间内实现稳定可靠的开关操作。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMN3023L-13-HXY

商品编号

C53263161

商品封装

SOT-23​

包装方式

编带

商品毛重

0.027克(g)