温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AONR36326C
AONR36326C
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。较低的导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件在高频开关条件下仍能保持良好的动态性能，适用于电源转换、电池管理系统、电机控制以及各类高效率开关电路中，满足对紧凑布局和热性能要求较高的设计需求。
- 商品型号
- AONR36326C
- 商品编号
- C53263169
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.067克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- DMTH3004LFG-13-HXY
- AON7514
- DMN3011LFVW-13-HXY
- DMN3009LFV-13-HXY
- DMN3011LFVW-7-HXY
- DMT3009UFVW-7-HXY
- DMT35M4LFVW-13-HXY
- DI045N03PT-HXY
- SISA16DN-T1-GE3-HXY
- DMT35M1LFVW-13-HXY
- AON7568
- DMT35M1LFVW-7-HXY
- DMN3011LFVWQ-13-HXY
- NTMFS4C028NT3G-HXY
- DMN3011LFVWQ-7-HXY
- DMT34M5LFVW-13-HXY
- DMN3010LFG-13-HXY
- DMT3009LFVW-13-HXY
- DMN39M1LFVW-13-HXY
- AON7502
- DMN39M1LFVWQ-13-HXY