温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN3011LFVW-7-HXY
DMN3011LFVW-7-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该N沟道MOSFET具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。器件采用标准封装，适用于对导通损耗和效率要求较高的电源管理场景。其低RDS(ON)有助于减少发热，提升系统整体能效，适合用于各类中低电压开关电路，包括负载开关、同步整流及电池供电设备中的功率控制模块。
- 商品型号
- DMN3011LFVW-7-HXY
- 商品编号
- C53263174
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.069克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- DMT3009UFVW-7-HXY
- DMT35M4LFVW-13-HXY
- DI045N03PT-HXY
- SISA16DN-T1-GE3-HXY
- DMT35M1LFVW-13-HXY
- AON7568
- DMT35M1LFVW-7-HXY
- DMN3011LFVWQ-13-HXY
- NTMFS4C028NT3G-HXY
- DMN3011LFVWQ-7-HXY
- DMT34M5LFVW-13-HXY
- DMN3010LFG-13-HXY
- DMT3009LFVW-13-HXY
- DMN39M1LFVW-13-HXY
- AON7502
- DMN39M1LFVWQ-13-HXY
- AON7788
- DMN39M1LFVWQ-7-HXY
- DMN3009LFVQ-13-HXY
- DMT3006LFV-7-HXY
- DMT3006LFVQ-13-HXY