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DMN3011LFVW-13-HXY
DMN3011LFVW-13-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。器件适用于对导通损耗和效率要求较高的功率开关场景，其低RDS(ON)有助于减少发热并提升系统整体能效。由于具备较高的电流承载能力和较低的导通压降，该MOSFET可有效支持多种中低压电源管理与负载控制应用。
- 商品型号
- DMN3011LFVW-13-HXY
- 商品编号
- C53263172
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
参数完善中
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