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DMN3009LFV-13-HXY
DMN3009LFV-13-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧。其极低的导通电阻有效减少了功率损耗与发热，适用于高效率、大电流的电源开关场合。在频繁开关或持续高负载运行条件下，该器件能维持良好的热稳定性和电气性能，适合用于电池供电系统、电源模块及各类中低压功率控制应用。
- 商品型号
- DMN3009LFV-13-HXY
- 商品编号
- C53263173
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
参数完善中
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