AON7514

AON7514

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及4毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻使其在大电流工作条件下显著降低导通损耗，提升系统效率。适用于高效率电源转换、电机驱动、服务器供电及各类需要频繁开关操作的电子系统中，能够在紧凑布局下维持良好的热稳定性和电气性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AON7514

商品编号

C53263171

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.07克(g)