AONR36329

AONR36329

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至9mΩ。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、开关转换及负载控制等场景。器件结构支持高速开关操作，在各类电子系统中可实现稳定可靠的功率切换功能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AONR36329

商品编号

C53263162

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.071克(g)