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SIRA18DDP-T1-GE3-HXY
SIRA18DDP-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5.7毫欧。其低导通电阻有助于在高电流工作条件下显著降低功率损耗与温升，适用于高效电源转换、电机驱动、电池管理系统及各类高频率开关电路。器件在紧凑型电子设备中可有效提升能效并简化热设计，满足对性能与可靠性有较高要求的应用场景。
- 商品型号
- SIRA18DDP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263167
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144克(g)
商品参数
参数完善中
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