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SIRA18BDP-T1-UE3-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至5.7毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，在高电流应用场景中表现出良好的热稳定性和开关特性。适用于对功率密度和能效有较高要求的电源管理、电机驱动及各类高频开关电路中。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SIRA18BDP-T1-UE3-HXY
商品编号: C53263168
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.143克(g)

商品参数

参数完善中