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AON7518
AON7518
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- 描述
- 该N沟道MOSFET额定漏极电流（ID）为35A，漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。器件在中等功率开关应用中具备良好的导通特性和较低的导通损耗，适用于电源管理、电池供电系统、DC-DC转换器及各类电子负载控制场合。其低RDS(ON)有助于提升能效并减少发热，配合标准逻辑电平驱动即可实现稳定工作，在注重空间与效率的电路设计中具有实用价值。
- 商品型号
- AON7518
- 商品编号
- C53263166
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
参数完善中
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