温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIRA18DDP-T1-UE3-HXY
SIRA18DDP-T1-UE3-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）、60A的连续漏极电流（ID），以及仅5.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其极低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，适合在大电流工作条件下维持较高的能效。常用于高效率开关电源、大功率便携设备、电动工具驱动电路及需要频繁开关操作的电子系统中，能够支持高密度布局并提升整体热稳定性。
- 商品型号
- SIRA18DDP-T1-UE3-HXY
- 商品编号
- C53263165
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- AON7518
- SIRA18DDP-T1-GE3-HXY
- SIRA18BDP-T1-UE3-HXY
- AONR36326C
- DMTH3004LFG-13-HXY
- AON7514
- DMN3011LFVW-13-HXY
- DMN3009LFV-13-HXY
- DMN3011LFVW-7-HXY
- DMT3009UFVW-7-HXY
- DMT35M4LFVW-13-HXY
- DI045N03PT-HXY
- SIRA18DP-T1-RE3-HXY
- SISA16DN-T1-GE3-HXY
- DMT35M1LFVW-13-HXY
- AON7568
- AOD32326-HXY
- DMT35M1LFVW-7-HXY
- DMN3011LFVWQ-13-HXY
- NTMFS4C028NT3G-HXY
- DMN3011LFVWQ-7-HXY