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SIRA18DDP-T1-UE3-HXY
SIRA18DDP-T1-UE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）、60A的连续漏极电流（ID），以及仅5.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其极低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，适合在大电流工作条件下维持较高的能效。常用于高效率开关电源、大功率便携设备、电动工具驱动电路及需要频繁开关操作的电子系统中，能够支持高密度布局并提升整体热稳定性。
- 商品型号
- SIRA18DDP-T1-UE3-HXY
- 商品编号
- C53263165
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
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