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AM7336N-HXY
AM7336N-HXY
- 描述
- 该N沟道MOSFET具有45A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至6毫欧，在栅源电压高达20V的条件下仍能稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及高效开关电路等场景。器件结构优化了开关特性，适合高频操作环境，可有效支持紧凑型电子系统的设计需求。
- 商品型号
- AM7336N-HXY
- 商品编号
- C53263152
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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