PXN6R7-30QLJ-HXY

PXN6R7-30QLJ-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至6毫欧，栅源驱动电压（VGS）最大可达20V。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及开关转换等应用场景。器件采用标准封装形式，便于在高频率或大电流条件下稳定工作。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

PXN6R7-30QLJ-HXY

商品编号

C53263154

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)