温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PXN6R7-30QLJ-HXY
PXN6R7-30QLJ-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至6毫欧，栅源驱动电压（VGS）最大可达20V。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及开关转换等应用场景。器件采用标准封装形式，便于在高频率或大电流条件下稳定工作。
- 商品型号
- PXN6R7-30QLJ-HXY
- 商品编号
- C53263154
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- FDMS8027S-NC-HXY
- FDMS7678-NC-HXY
- DMN3032L-13-HXY
- DMN3032LQ-13-HXY
- DMN3032L-7-HXY
- DMN3032LQ-7-HXY
- DMN3023L-13-HXY
- AONR36329
- AONR36328
- MMFTN3404A-HXY
- SIRA18DDP-T1-UE3-HXY
- AON7518
- SIRA18DDP-T1-GE3-HXY
- SIRA18BDP-T1-UE3-HXY
- AONR36326C
- DMTH3004LFG-13-HXY
- AON7514
- DMN3011LFVW-13-HXY
- DMN3009LFV-13-HXY
- DMN3011LFVW-7-HXY
- DMT3009UFVW-7-HXY