DMN3032LQ-13-HXY

DMN3032LQ-13-HXY

描述

该N沟道MOSFET的连续漏极电流为5.8A，最大漏源电压为30V，在典型工作条件下导通电阻低至22毫欧。器件具备较低的导通损耗和良好的开关特性，适用于对效率和热性能有要求的电源转换、电池管理及便携式电子设备中的功率控制功能。其参数组合使其在中等电流负载下能够稳定运行，并有助于简化散热设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMN3032LQ-13-HXY

商品编号

C53263158

商品封装

SOT-23​

包装方式

编带

商品毛重

0.0275克(g)