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DMN3032LQ-13-HXY
DMN3032LQ-13-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET的连续漏极电流为5.8A，最大漏源电压为30V，在典型工作条件下导通电阻低至22毫欧。器件具备较低的导通损耗和良好的开关特性，适用于对效率和热性能有要求的电源转换、电池管理及便携式电子设备中的功率控制功能。其参数组合使其在中等电流负载下能够稳定运行，并有助于简化散热设计。
- 商品型号
- DMN3032LQ-13-HXY
- 商品编号
- C53263158
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
参数完善中
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