DMN3032L-13-HXY

DMN3032L-13-HXY

描述

该N沟道MOSFET的连续漏极电流为5.8A，最大漏源电压为30V，导通电阻为22毫欧。其参数组合适用于中等功率应用场景，在保证一定电流承载能力的同时，兼顾开关效率与功耗控制。器件适合用于电源管理模块、负载开关、便携设备供电系统以及对空间和热耗有约束的电子装置中，能够支持稳定可靠的开关操作。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMN3032L-13-HXY

商品编号

C53263157

商品封装

SOT-23​

包装方式

编带

商品毛重

0.027克(g)