DMN3032L-13-HXY
DMN3032L-13-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET的连续漏极电流为5.8A,最大漏源电压为30V,导通电阻为22毫欧。其参数组合适用于中等功率应用场景,在保证一定电流承载能力的同时,兼顾开关效率与功耗控制。器件适合用于电源管理模块、负载开关、便携设备供电系统以及对空间和热耗有约束的电子装置中,能够支持稳定可靠的开关操作。
- 商品型号
- DMN3032L-13-HXY
- 商品编号
- C53263157
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
参数完善中
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