温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSZ0589NSATMA1-HXY
BSZ0589NSATMA1-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道MOSFET支持70A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧。其极低的导通电阻显著减少了导通损耗，适用于大电流、高效率要求的电源路径设计。典型应用场景包括高性能计算设备的供电模块、大功率便携设备以及需要频繁开关操作的直流电源系统。器件在高负载条件下仍能保持较低温升，有助于提升整体系统的热稳定性和长期可靠性。
- 商品型号
- BSZ0589NSATMA1-HXY
- 商品编号
- C53263153
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.088nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 209pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 277pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- PXN6R7-30QLJ-HXY
- FDMS8027S-NC-HXY
- FDMS7678-NC-HXY
- DMN3032L-13-HXY
- DMN3032LQ-13-HXY
- DMN3032L-7-HXY
- DMN3032LQ-7-HXY
- DMN3023L-13-HXY
- AONR36329
- AONR36328
- MMFTN3404A-HXY
- SIRA18DDP-T1-UE3-HXY
- AON7518
- SIRA18DDP-T1-GE3-HXY
- SIRA18BDP-T1-UE3-HXY
- AONR36326C
- DMTH3004LFG-13-HXY
- AON7514
- DMN3011LFVW-13-HXY
- DMN3009LFV-13-HXY
- DMN3011LFVW-7-HXY