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BSZ0589NSATMA1-HXY
BSZ0589NSATMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET支持70A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧。其极低的导通电阻显著减少了导通损耗，适用于大电流、高效率要求的电源路径设计。典型应用场景包括高性能计算设备的供电模块、大功率便携设备以及需要频繁开关操作的直流电源系统。器件在高负载条件下仍能保持较低温升，有助于提升整体系统的热稳定性和长期可靠性。
- 商品型号
- BSZ0589NSATMA1-HXY
- 商品编号
- C53263153
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
参数完善中
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