AM7438N-HXY

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

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描述: 该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.7mΩ，在栅源电压（VGS）高达20V时仍能稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及高效率开关电路等场景。器件结构优化了开关特性与导通性能的平衡，适合在高频或大电流条件下运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AM7438N-HXY
商品编号: C53263142
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 1.388克(g)

商品参数