AM7438N-HXY

AM7438N-HXY

描述

该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.7mΩ，在栅源电压（VGS）高达20V时仍能稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及高效率开关电路等场景。器件结构优化了开关特性与导通性能的平衡，适合在高频或大电流条件下运行。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AM7438N-HXY

商品编号

C53263142

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

1.388克(g)