PXN010-30QLJ-HXY

PXN010-30QLJ-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至9mΩ。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电池供电设备及各类高效能电子系统中。器件结构优化了开关特性，在高频操作下仍能保持稳定性能，适合需要快速响应与高可靠性的电路设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

PXN010-30QLJ-HXY

商品编号

C53263144

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.071克(g)