SI7806ADN-T1-E3-HXY

SI7806ADN-T1-E3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为9毫欧。器件在中等电流水平下提供较低的导通损耗，适用于对效率和热性能有一定要求的电源开关电路。其电气特性适合用于直流-直流转换器、便携式设备供电系统以及各类需要稳定功率控制的电子装置中，具备良好的开关响应与可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SI7806ADN-T1-E3-HXY

商品编号

C53263148

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.071克(g)