温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSZ050N03MSGATMA1-HXY
BSZ050N03MSGATMA1-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.5毫欧。其极低的导通电阻有效降低导通损耗，适用于高效率、大电流的开关应用场景。器件在高频开关条件下仍能保持良好的性能稳定性，适合用于电源转换模块、电池管理系统以及各类需要高效能功率控制的电子设备中。
- 商品型号
- BSZ050N03MSGATMA1-HXY
- 商品编号
- C53263147
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- IRFHM8329TRPBF-HXY
- AM7336N-HXY
- BSZ0589NSATMA1-HXY
- PXN6R7-30QLJ-HXY
- DMN3009LFV-13-HXY
- DMT35M4LFVW-13-HXY
- DI045N03PT-HXY
- SISA16DN-T1-GE3-HXY
- DMT35M1LFVW-13-HXY
- DMT35M1LFVW-7-HXY
- DMN3010LFG-13-HXY
- DMT3009LFVW-13-HXY
- DMN39M1LFVW-13-HXY
- DMN39M1LFVWQ-13-HXY
- AON7788
- DMN39M1LFVWQ-7-HXY
- DMN3009LFVQ-13-HXY
- DMT3006LFV-7-HXY
- DMT3006LFVQ-13-HXY
- DMT3009LFVWQ-13-HXY
- DMN3009LFVQ-7-HXY