BSZ050N03MSGATMA1-HXY

BSZ050N03MSGATMA1-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.5毫欧。其极低的导通电阻有效降低导通损耗，适用于高效率、大电流的开关应用场景。器件在高频开关条件下仍能保持良好的性能稳定性，适合用于电源转换模块、电池管理系统以及各类需要高效能功率控制的电子设备中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

BSZ050N03MSGATMA1-HXY

商品编号

C53263147

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.092克(g)