CSD17309Q3-HXY

CSD17309Q3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为4mΩ。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效。适用于高电流负载场景，如电源转换模块、便携式设备供电系统及高性能计算平台中的电源管理单元。其电气特性支持快速开关操作，在高频工作条件下仍可维持较低的热应力与稳定性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

CSD17309Q3-HXY

商品编号

C53263145

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.071克(g)