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NVD4C05NT4G-HXY
NVD4C05NT4G-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为3毫欧。低导通电阻有助于在大电流应用中有效抑制功率损耗，提升系统效率并减少发热。适用于高效率电源模块、电池供电设备、电机驱动电路以及需要高开关频率和高电流承载能力的电子系统，能够在持续高负载条件下保持稳定工作性能。
- 商品型号
- NVD4C05NT4G-HXY
- 商品编号
- C53263133
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.377克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.485nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 850pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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