AM7338N-HXY

AM7338N-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，在高电流开关应用中表现优异。器件适用于对功率密度和热性能有较高要求的场合，可有效支持电源管理、电机驱动及各类高效能电子设备中的开关功能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AM7338N-HXY

商品编号

C53263140

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.076克(g)