AM7334N-HXY

AM7334N-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于减小导通损耗，提升系统效率，适用于高电流开关场景。器件可广泛用于电源管理、电机控制及各类高效电子设备中的功率开关环节，在紧凑设计中仍能保持良好的热稳定性和电气性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AM7334N-HXY

商品编号

C53263141

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)