FDMS0355S-HXY

N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流（ID），最大漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(on)）低至4.3毫欧，在栅源电压（VGS）为20V时实现优化导通性能。其极低的导通电阻有效降低导通损耗，适用于高效率、大电流的电源管理、电机驱动及高频开关等应用场合。器件在紧凑型电路设计中可提供良好的热稳定性和电气特性，适合对能效和空间有较高要求的电子系统。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FDMS0355S-HXY
商品编号: C53263139
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.14克(g)

商品参数