NTMFS4120NT1G-HXY

NTMFS4120NT1G-HXY

描述

该N沟道MOSFET具备90A的连续漏极电流，漏源击穿电压为30V，导通电阻仅为3.5毫欧，栅源电压额定值达20V。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效。适用于高电流、高效率要求的电源管理、同步整流及电机控制等应用场合，在高频开关条件下仍可维持良好的热稳定性和电气性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTMFS4120NT1G-HXY

商品编号

C53263136

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.142克(g)