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NTMFS4120NT1G-HXY
NTMFS4120NT1G-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备90A的连续漏极电流，漏源击穿电压为30V，导通电阻仅为3.5毫欧，栅源电压额定值达20V。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效。适用于高电流、高效率要求的电源管理、同步整流及电机控制等应用场合，在高频开关条件下仍可维持良好的热稳定性和电气性能。
- 商品型号
- NTMFS4120NT1G-HXY
- 商品编号
- C53263136
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.218nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 480pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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