NTMFS4852NT1G-HXY

NTMFS4852NT1G-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备150A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为1.4毫欧，栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。其超低导通电阻显著降低导通损耗，在大电流工作条件下仍能保持高效能与较低温升。适用于高功率密度的电源转换、电池管理系统、电动工具驱动及各类需要频繁开关操作的电子设备中，能够可靠支持高负载运行需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTMFS4852NT1G-HXY

商品编号

C53263132

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.149克(g)