NTMFS4852NT1G-HXY

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具备150A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为1.4毫欧，栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。其超低导通电阻显著降低导通损耗，在大电流工作条件下仍能保持高效能与较低温升。适用于高功率密度的电源转换、电池管理系统、电动工具驱动及各类需要频繁开关操作的电子设备中，能够可靠支持高负载运行需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTMFS4852NT1G-HXY
商品编号: C53263132
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.149克(g)

商品参数