NTMS4807NR2G-HXY

NTMS4807NR2G-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备18A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、5毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其较低的导通电阻有助于在导通状态下减少功率损耗，提升系统效率。该器件适用于对能效和热管理有一定要求的电源转换、负载开关及同步整流等应用场景，在紧凑型电子设备中可提供稳定的功率处理能力。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTMS4807NR2G-HXY

商品编号

C53263127

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.122克(g)