NTMFS4C10NBT1G-HXY

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描述: 该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至5.7毫欧，适用于对效率和热性能要求较高的功率开关场景。在栅极驱动电压适配范围内，器件可实现快速开关响应与较低的导通损耗，适合用于电源转换、电机驱动及高密度功率模块等应用。其电气特性有助于维持系统稳定运行并提升整体能效表现。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTMFS4C10NBT1G-HXY
商品编号: C53263129
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.141克(g)

商品参数