FDM6296-HXY

FDM6296-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至9mΩ。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电池供电设备及各类高效开关电路中。器件结构支持快速开关操作，在高频应用中表现稳定，适合需要高电流承载能力与紧凑布局的电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FDM6296-HXY

商品编号

C53263128

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.071克(g)