ITF86130SK8T-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具有18A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、5mΩ的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统效率，适用于中等功率的开关电源、电池供电设备及负载开关等应用场景。器件在高频操作下仍能保持稳定的电气性能，适合对体积和热管理有较高要求的电子系统。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: ITF86130SK8T-HXY
商品编号: C53263126
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.121克(g)

商品参数