ITF86130SK8T-HXY

ITF86130SK8T-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有18A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、5mΩ的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统效率，适用于中等功率的开关电源、电池供电设备及负载开关等应用场景。器件在高频操作下仍能保持稳定的电气性能，适合对体积和热管理有较高要求的电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

ITF86130SK8T-HXY

商品编号

C53263126

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.121克(g)