NTMFS4C09NBT1G-HXY

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，提升系统效率。高电流能力与低阻抗特性使其适用于大功率电源管理、高效DC-DC转换器及对散热和空间有严格要求的电子装置。在高频开关操作中，器件能维持良好的动态响应和稳定性，适合用于高性能电力电子系统。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTMFS4C09NBT1G-HXY
商品编号: C53263122
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.156克(g)

商品参数