温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMC0310AS-F127-L701-HXY
FDMC0310AS-F127-L701-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为4mΩ，能够在低电压驱动条件下实现高效导通。其低导通阻抗有助于显著降低导通损耗，提升整体能效，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换、同步整流及高频率开关电路等应用场合。
- 商品型号
- FDMC0310AS-F127-L701-HXY
- 商品编号
- C53263124
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- RJK03E1DNS-00#J5-HXY
- ITF86130SK8T-HXY
- NTMS4807NR2G-HXY
- FDM6296-HXY
- NTMFS4C10NBT1G-HXY
- RJK0393DPA-00#J53-HXY
- FDD8876-HXY
- NTMFS4852NT1G-HXY
- NVD4C05NT4G-HXY
- NTMFS4121NT1G-HXY
- NTMFS4122NT1G-HXY
- NTMFS4120NT1G-HXY
- FDMS0349-HXY
- FDMS0348-HXY
- FDMS0355S-HXY
- AM7338N-HXY
- AM7334N-HXY
- AM7438N-HXY
- AM7436N-HXY
- PXN010-30QLJ-HXY
- CSD17309Q3-HXY