FDD6682_NL-HXY

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为5毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。其高电流承载能力与优异的导通特性，使其适用于大电流电源转换、高效开关电路以及对热管理要求较高的紧凑型电子设备中。器件在高频开关条件下仍能保持稳定的电气性能，适合用于需要高效率与高可靠性的电力电子应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FDD6682_NL-HXY

商品编号

C53263121

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.379克(g)