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RJK0351DPA-00#J0-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和90A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧，栅源驱动电压（VGS）最高可达±20V。凭借极低的导通电阻和高电流承载能力，器件在大电流开关应用中可有效降低功率损耗与温升。适用于高效率电源转换、电机驱动、电池充放电控制以及对热性能和能效要求严苛的电子系统中的功率开关环节。
- 商品型号
- RJK0351DPA-00#J0-HXY
- 商品编号
- C53263115
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.218nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 480pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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