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RJK0355DPA-01#J0B-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET的连续漏极电流为50A，最大漏源电压为30V，在栅源电压20V驱动下导通电阻为6.5毫欧。器件在导通状态下具有较低的功率损耗，适用于对能效和热管理要求较高的电路设计。典型应用包括直流-直流转换器、电源开关模块以及需要高频操作和低导通压降的电子系统中。
- 商品型号
- RJK0355DPA-01#J0B-HXY
- 商品编号
- C53263118
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
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