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描述
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流能力,最大漏源电压为30V,在栅源电压为20V时导通电阻低至4.3毫欧。器件采用标准增强型结构,适用于对导通损耗和开关效率要求较高的电源管理场景。其低RDS(ON)特性有助于减少发热,提升系统整体能效,适合用于高频开关电路、直流-直流转换器以及各类电子负载控制应用中。
商品型号
RJK0394DPA-00#J5A-HXY
商品编号
C53263116
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.14克(g)

商品参数

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参数完善中

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