IPD50N03S207ATMA1-HXY

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS），以及5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻使其在大电流工作状态下能有效抑制功耗与温升，适用于对效率和热管理要求较高的功率开关场合。典型应用包括高效率直流-直流转换器、电池供电系统及高频率同步整流电路，可在紧凑型设计中实现稳定可靠的性能表现。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPD50N03S207ATMA1-HXY
商品编号: C53263110
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.379克(g)

商品参数