2SK4080-ZK-E1-AY-HXY

2SK4080-ZK-E1-AY-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7毫欧，适用于中高电流开关应用。在栅源电压范围内可实现高效导通，有效降低功率损耗。其电气特性适合用于电源转换、电池管理系统、电机控制及各类需要高效率与紧凑布局的电子设备中，能够支持快速开关操作并维持良好的热稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

2SK4080-ZK-E1-AY-HXY

商品编号

C53263111

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.391克(g)