NTMS4916NR2G-HXY

NTMS4916NR2G-HXY

描述

该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和18A的连续漏极电流（ID），在导通状态下其导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧，栅源驱动电压（VGS）最高可达±20V。器件适用于对效率和热性能要求较高的开关应用场景，其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。由于具备较高的电流承载能力和稳定的电气特性，可广泛用于电源管理、电机驱动及各类电子负载控制等电路中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTMS4916NR2G-HXY

商品编号

C53263114

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.121克(g)