NTTFS4941NTWG-HXY

NTTFS4941NTWG-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。器件适用于对导通损耗和效率要求较高的功率开关场景，其低阻特性有助于减少发热并提升系统整体能效。由于具备较高的电流承载能力和较低的导通压降，可广泛用于电源管理、电池供电设备及各类高频率开关电路中，满足紧凑型设计对高效能半导体器件的需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTTFS4941NTWG-HXY

商品编号

C53263108

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.074克(g)