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FDD6676S-HXY
FDD6676S-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至5毫欧。其低RDS(on)有助于显著降低导通损耗，在大电流工作条件下维持较高的能效和较低的温升。适用于高功率密度的电源转换系统、高效电机驱动以及对热性能和空间布局有严格要求的电子设备中。
- 商品型号
- FDD6676S-HXY
- 商品编号
- C53263105
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
参数完善中
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