RJK0396DPA-00#J53-HXY

RJK0396DPA-00#J53-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备50A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为6.5毫欧。低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件适用于高电流、高频开关场景，可有效用于电源转换、电机控制及各类对效率和热管理要求较高的电子系统中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

RJK0396DPA-00#J53-HXY

商品编号

C53263107

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.14克(g)