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IPD04N03LBG-HXY
IPD04N03LBG-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有100A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.8毫欧。其低RDS(on)特性有助于减少导通损耗，提升系统效率，在高电流开关应用中表现优异。器件适用于对功率密度和热性能要求较高的场合，可有效支持电源管理、电机驱动及各类高效能电子设备中的功率转换需求。
- 商品型号
- IPD04N03LBG-HXY
- 商品编号
- C53263104
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.412克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- FDD6676S-HXY
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