IRFH5304TRPBF-HXY

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具有90A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧，在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统能效，适用于对电流承载能力和开关效率要求较高的电源管理、电机驱动及高密度功率转换等应用场景。器件结构优化了热性能与电气特性，适合在高频开关条件下稳定工作。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRFH5304TRPBF-HXY
商品编号: C53263086
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.142克(g)

商品参数