IRFH5304TRPBF-HXY

IRFH5304TRPBF-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有90A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧，在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统能效，适用于对电流承载能力和开关效率要求较高的电源管理、电机驱动及高密度功率转换等应用场景。器件结构优化了热性能与电气特性，适合在高频开关条件下稳定工作。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IRFH5304TRPBF-HXY

商品编号

C53263086

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.142克(g)