ISL9N306AD3ST-HXY

ISL9N306AD3ST-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。器件在高电流工作条件下表现出较低的导通损耗，有助于提升系统整体效率。适用于开关电源、电池供电设备、电机驱动及高密度功率转换等应用场合，能够在高频开关操作中保持良好的热稳定性和电气性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

ISL9N306AD3ST-HXY

商品编号

C53263087

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.379克(g)