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ISL9N306AD3ST-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。器件在高电流工作条件下表现出较低的导通损耗，有助于提升系统整体效率。适用于开关电源、电池供电设备、电机驱动及高密度功率转换等应用场合，能够在高频开关操作中保持良好的热稳定性和电气性能。
- 商品型号
- ISL9N306AD3ST-HXY
- 商品编号
- C53263087
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- RJK03M9DNS-00#J5-HXY
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- RJK03M6DNS-00#J5-HXY
- RJK03B7DPA-00#J5A-HXY
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- RJK03B8DPA-00#J53-HXY
- RJK03B9DPA-00#J53-HXY
- RJK03B7DPA-00#J53-HXY
- RJK03B9DPA-00#J5A-HXY
- RJK0395DPA-00#J53-HXY
- RJK03M8DNS-00#J5-HXY
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- RJK03M9DNS-00#J5-HXY
- STS14N3LLH5-HXY
- BSO083N03MSGXUMA1-HXY
- RJK03M6DNS-00#J5-HXY
- RJK03B7DPA-00#J5A-HXY
- RJK0397DPA-00#J53-HXY
- RJK03B8DPA-00#J53-HXY
- RJK03B9DPA-00#J53-HXY
- RJK03B7DPA-00#J53-HXY
- RJK03B9DPA-00#J5A-HXY
- RJK0395DPA-00#J53-HXY
- RJK03M8DNS-00#J5-HXY
- NTTFS4945NTAG-HXY
- IPD40N03S4L08ATMA1-HXY
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